Flash Gen 3D NAND Gen 3D của Kioxia nhanh hơn tới 33% so với các ICS thế hệ thứ 8

Kioxia, hợp tác với Sandisk, đã công bố công nghệ bộ nhớ flash 3D NAND thế hệ thứ 10 trong một thông cáo báo chí nhân Hội nghị Mạch Rắn Quốc Tế ISSCC 2025. Bộ nhớ flash mới mang lại hiệu suất cao hơn 33 lần và cải thiện mật độ bit, tốc độ giao diện cũng như hiệu suất năng lượng so với các thế hệ trước. Bộ nhớ flash 3D mới của Kioxia sử dụng công nghệ CMOS Bonded to Array (CBA), được tạo ra bằng cách liên kết một wafer CMOS và một wafer mảng tế bào, được sản xuất riêng biệt.

Điều này không phải là mới, vì nó cũng đã được giới thiệu trong sản phẩm 3D NAND thế hệ thứ 8 của Kioxia. Tuy nhiên, điểm nổi bật hơn là tiêu chuẩn giao diện mới, Toggle DDR6.0, cho phép tốc độ giao diện NAND lên tới 4.8 Gbs. Kioxia cho biết tốc độ nhanh hơn gấp 33 lần so với công nghệ thế hệ thứ 8, một phần nhờ vào số lượng lớp bộ nhớ tăng lên, hiện đạt 322 lớp, so với 218 lớp của thế hệ thứ 8, tương ứng với mức tăng 38 lớp.

Mặc dù 322 lớp vẫn còn xa mục tiêu 1,000 lớp 3D NAND của công ty vào năm 2027, nhưng đây vẫn là một thành tựu ấn tượng. Kioxia cho biết 3D NAND 322 lớp cải thiện mật độ bit lên 59%.

Các thông số của các loại chip nhớ:

• 8 Gb mm², 21.0 Gb mm², 17 Gb mm², 22.9 Gb mm², 20 mm², 36.4 Gb mm²

• Kiến trúc: TLC, QLC, TLC, TLC, QLC, TLC

• Dung lượng Die: 1 Tb, 1 Tb, 1 Tb, 1 Tb, 2 Tb, 1 Tb

• Tốc độ giao tiếp: Lên đến 3600 MT/s, 3200 MT/s, 3600 MT/s, 4800 MT/s

• Ngày phát hành thế hệ tiếp theo: Xtacking 4.0, chưa biết, 3xx, chưa biết

Dựa trên dữ liệu từ Kioxia, có thể thấy mật độ bit đã cải thiện 59%, cho thấy thế hệ 10 có mật độ mỗi mm² là 36.

2 Gb mỗi milimét vuông. Giả sử băng thông là 8 bit, tốc độ giao diện 4.8 Gbs tương đương 4800 MTs. NAND mới cũng tích hợp công nghệ PI-LTT (Power Isolated Low-Tapped Termination), giúp giảm tiêu thụ điện năng thêm 10 lần cho đầu vào và 34 lần cho đầu ra. Kioxia cho biết sự chú trọng vào hiệu quả năng lượng là do nhu cầu điện của công nghệ AI.

Hideshi Miyajima, Giám đốc Công nghệ tại Kioxia, cho biết trong thông cáo báo chí rằng với sự bùng nổ của công nghệ AI, lượng dữ liệu được tạo ra dự kiến sẽ tăng mạnh, kéo theo nhu cầu về hiệu suất năng lượng cao hơn trong trung tâm dữ liệu hiện đại. Ông cũng giải thích rằng nhu cầu về các sản phẩm tiêu thụ năng lượng thấp, bao gồm cả SSD, sẽ là nền tảng cho sự phát triển của AI.

Kioxia và Sandisk đã công bố kế hoạch cho công nghệ flash NAND 3D thế hệ thứ 9, nhưng các thông số kỹ thuật chưa được rõ ràng như sản phẩm thế hệ thứ 10. Hiện tại chưa có thông tin về thời điểm bắt đầu sản xuất hàng loạt sản phẩm mới. Tuy nhiên, việc thông báo về sản phẩm thế hệ thứ 9 cho thấy thế hệ thứ 10 vẫn còn xa mới được sản xuất đại trà và bán ra.

Nguồn: www.tomshardware.com/tech-industry/kioxias-new-10th-gen-332-layer-4-8-gb-s-3d-nand-flash-is-33-percent-faster-than-its-8th-gen-ics