Các rò rỉ điểm chuẩn xung quanh dòng sản phẩm Galaxy S25 đang dần làm sáng tỏ, và nhân dịp này, chúng ta có cái nhìn đầu tiên không chỉ là điểm số của mô hình cơ sở mà còn cả bên trong của nó.Không có gì đáng ngạc nhiên, thành viên hàng đầu giá cả phải chăng nhất của Samsung cho năm 2025 sẽ được đối xử với Qualcomm, mới nhất và vĩ đại nhấtSnapdragon 8 Elite, với kết quả mới cho thấy điểm số lõi và đa lõi của nó thấp hơn so với những gì mà Galaxy S25 Ultra thu được cách đây không lâu.

Đan xung Snapdragon 8 Elite cung cấp năng lượng cho Galaxy S25 cơ sở không đủ để cung cấp kết quả tương tự như Galaxy S25 Ultra

Hôm qua, chúng tôi đã báo cáo rằng Galaxy S25 Ultra làPhát hiện trên Geekbench 6Thể thao một phiên bản nâng cấp của Snapdragon 8 Elite, nơi các lõi hiệu suất của nó hoạt động ở mức 4,47GHz thay vì 4,32GHz mặc định.Cấu hình tương tự đang chạy trên cơ sở Galaxy S25, có số mô hình SM-S931B, cho thấy rằng không có phiên bản nào từ dòng sản phẩm của người khổng lồ Hàn Quốc sẽ đến với Exynos 2500.Các thông số kỹ thuật vì mô hình cụ thể này đã được thử nghiệm với RAM 12GB.

Có vẻ như Samsung cuối cùng đã trở nên nghiêm túc về phần bên trong của các mô hình cao cấp của nó, điều này cũng mang lại sức nặng cho tin đồn rằng công ty sẽGiới thiệu nâng cấp RAM 12GBcho tất cả các mô hình Galaxy S25 theo tiêu chuẩn.Đến với điểm số, mô hình cơ sở đạt được kết quả đơn lõi và đa lõi thấp hơn so với Galaxy S25 Ultra, điều này khó khăn khi thấy mặc dù rò rỉ mới nhất cho thấy các lõi hiệu suất của Snapdragon 8 Elite đang hoạt động ở tốc độ đồng hồ cao hơn.

Giả định đầu tiên của chúng tôi là vì Galaxy S25 nhỏ hơn Galaxy S25 Ultra, nên dung dịch làm mát của nó sẽ không quá phức tạp.Tuy nhiên, độc giả nên nhớ rằng Geekbench 6 không được thiết kế để đo lường khối lượng công việc bền vững và vì bản chất đặc biệt này, điểm số giữa hai chiếc flagship nên có cùng.Hy vọng rằng, chúng ta nên chứng kiến ​​kết quả được cải thiện trước khi Samsung chuẩn bị lênChính thức ra mắt gia đình Galaxy S25 vào cuối tháng này.