Quy trình Intel 18A 18A được báo cáo đi kèm với mật độ SRAM trên Từng TSMC, N2;Đội Blue chuẩn bị cho một sự trở lại phi thường

Quá trình 18A của Intel được cho là có mật độ SRAM tương đương với quy trình N2 của TSMC, đánh dấu một bước tiến lớn cho IFS và tham vọng trong lĩnh vực bán dẫn của họ. Quá trình 18A này đặc biệt nhờ vào các thực hiện như BSPDN cùng với nhiều năm nghiên cứu và phát triển. Có vẻ như thời điểm này là cơ hội tốt để lạc quan về kế hoạch chip của Intel, khi các báo cáo gần đây cho thấy xu hướng đang chuyển dịch về phía Team Blue.

Theo sự ủng hộ chính trị của chính quyền Trump, thông tin từ các phiên họp ISSCC do Ian Cutress tiết lộ cho thấy cả quy trình tiên tiến của TSMC và Intel đang cạnh tranh với nhau về mật độ SRAM, cho thấy khoảng cách đã được thu hẹp đáng kể, ít nhất là trong một khía cạnh quan trọng. Tại phiên họp ieeeisscc, bài báo đầu tiên của TSM là SRAM 38 Mb/mm² N2 HD, bài thứ hai của Intel là SRAM 38 Mb/mm² 18A HD, bài thứ ba của Mediatek là TCAM 3nm, và bài thứ tư của Synopsys là SRAM 38 Mb/mm² 3nm HD. Đây là một cuộc chiến tranh giành quyết liệt.

Dr. Ian Cutress đã đề cập đến công nghệ 18A của Intel nhiều lần trước đây, và thời điểm hiện tại có thể là thời điểm tốt nhất để xem xét sâu hơn về nó. Một trong những thành tựu quan trọng của công nghệ 18A là việc sử dụng BSPDN (Backside Power Delivery), giúp chuyển quá trình cung cấp điện sang mặt sau của chip. Đây là một trong những ứng dụng đầu tiên trong ngành, mang lại hiệu suất điện năng cải thiện và tín hiệu ổn định hơn, đánh dấu một bước đột phá lớn cho quy trình này.

Một nhân viên nhà máy Intel cầm một wafer sử dụng công nghệ Foveros 3D tại một nhà máy ở Hillsboro, Oregon, vào tháng 12 năm 2023. Vào tháng 2 năm 2024, Intel Corporation đã ra mắt Intel Foundry, nhà máy sản xuất hệ thống đầu tiên trên thế giới cho kỷ nguyên AI, với công nghệ tiên phong, khả năng phục hồi và bền vững. Phiên bản 18A có mật độ bit macro đạt 38.

1 Mbmm² với cấu hình mảng lớn cho thấy triển vọng tích cực cho quy trình 18A. Tuy nhiên, không nên đưa ra kết luận sớm về quy trình của Intel, vì thử thách thực sự nằm ở sản xuất chip và tỷ lệ thành phẩm của Team Blue sẽ quyết định kết quả.

TSMC đã công bố chi tiết quy trình N2, cho thấy mật độ SRAM tăng 12% nhờ công nghệ GAA, trong khi SRAM hiệu suất cao tăng 18%. Cải tiến chính của N2 là chuyển từ công nghệ FinFET truyền thống sang nanosheet N2, cho phép tùy chỉnh quy trình nhiều hơn và kiểm soát chính xác hơn so với FinFET.

Cuộc đua giữa TSMC và Intel trong lĩnh vực bán dẫn đang diễn ra sôi nổi và có vẻ như sẽ càng trở nên khốc liệt hơn. Tuy nhiên, yếu tố quan trọng vẫn là chất lượng các quy trình khi chúng được đưa vào chuỗi cung ứng.

Nguồn: wccftech.com/intel-18a-process-reportedly-comes-with-sram-density-on-par-with-tsmc-n2/