Nút quy trình Intel 18A cung cấp tần số cao hơn 25% tại công suất thấp hơn ISO & 36% ở cùng tần số so với Intel 3, mật độ trên 30%

Intel đã công bố quy trình 18A thế hệ tiếp theo, thay thế cho quy trình Intel 3, với khả năng điều chỉnh điện áp đồng hồ tốt hơn. Tại Hội nghị công nghệ và mạch VLSI 2025, Intel đã nhấn mạnh các tính năng của quy trình 18A, sẽ được áp dụng cho các dòng sản phẩm sắp tới như CPU Panther Lake cho khách hàng và các bộ xử lý Xeon Clearwater Forest chỉ sử dụng E-Core cho máy chủ.

Công nghệ CMOS tiên tiến "Nền tảng Intel 18A với RibbonFET GAA và Power Via cho tính toán hiệu suất cao" - Tài liệu Intel T1-1. Công nghệ Intel 18A với RibbonFET và Power Via cung cấp khả năng mở rộng mật độ hơn 30 lần và cải thiện hiệu suất một cách toàn diện so với Intel 3. Intel 18A cung cấp thư viện HP hiệu suất cao và HD mật độ cao, cùng với khả năng thiết kế công nghệ đầy đủ và dễ sử dụng hơn.

Điểm nổi bật chính của công nghệ 18A của Intel là RibbonFET GAA PowerVia, đánh dấu bước chuyển tiếp sang các công nghệ quy trình mới. Bắt đầu với công nghệ RibbonFET 18A, Intel sẽ có bước tiến lớn từ công nghệ FinFET, mang lại cải tiến về điện động lực của cổng, hiệu quả chiều rộng trên diện tích tốt hơn, ít điện dung phụ hơn và linh hoạt hơn so với FinFET.

Intel cải tiến tính linh hoạt thiết kế của RibbonFET so với FinFET bằng cách giới thiệu nhiều bề rộng ribbon cho cả thư viện 180H và 160H, tối ưu hóa hiệu suất so với rò rỉ năng lượng thông qua DTCO, cùng với các bề rộng ribbon chuyên dụng cho SRAM tối ưu hóa hiệu suất bitcell. Tất cả điều này nâng cao hiệu suất và khả năng thiết kế của các chip thế hệ tiếp theo được chế tạo trên công nghệ 18A. Công nghệ PowerVia của Intel cũng sẽ cải thiện khả năng cung cấp điện cho các transistor thế hệ mới thông qua dây tín hiệu điện ở mặt sau thay vì mặt trước.

Các dây mới được tách rời và tối ưu hóa riêng, mang lại mật độ logic cải thiện, sử dụng tế bào tiêu chuẩn tốt hơn, giảm RC tín hiệu, giảm độ sụt điện áp, và tăng tính linh hoạt trong thiết kế. Với những cải tiến này, Intel 18A cung cấp hiệu suất iso-power cao hơn 15 lần so với Intel 3. Ở cùng điện áp 1.1V, Intel 18A đạt tần số cao hơn khoảng 25% và hỗ trợ hoạt động với điện áp thấp dưới 0.

65V cho phép tiết kiệm điện lên đến 38% ở cùng tốc độ xung nhịp. Intel cho biết nhiều yếu tố của công nghệ 18A giúp nâng cao hiệu suất, bao gồm transistor RibbonFET, lợi thế về năng lượng mặt sau, cải tiến kết nối mặt trước và tối ưu hóa thiết kế quy trình. Về mặt mật độ, công nghệ 18A cung cấp cải thiện mật độ lên đến 39% so với công nghệ 3, với công nghệ năng lượng mặt sau giúp cải thiện khả năng sử dụng ô lên 8-10 lần và giảm hiện tượng IR droop tồi tệ nhất tới 10 lần.

Intel 18A hỗ trợ chiều cao thư viện HP là 180nm so với 240nm của Intel 3, chiều cao thư viện HD là 160nm so với 210nm của Intel 3, và khoảng cách M0M2 là 3232 so với 3042 của Intel 3. Về khả năng mở rộng SRAM, Intel 18A cải thiện mật độ SCRAM HCC lên 30 so với Intel 3, cung cấp HCC 0.0230um² và HDC 0.0210um² SRAM. Ngoài ra, Intel còn có thêm các phiên bản khác của công nghệ này sẽ ra mắt từ 2026 đến 2028.

Gia đình này bao gồm 18A-P và 18A-PT, vừa được công bố tại Direct Connect 2025. Intel cũng kỳ vọng khách hàng sẽ sử dụng các nút này cho sản xuất chip của họ.

Nguồn: wccftech.com/intel-18a-process-node-25-percent-higher-frequency-36-percent-lower-power-vs-intel-3/