Micron tiết lộ bộ nhớ DDR5-9200: Công nghệ xử lý 1γ với EUV

Ngày 25 tháng 3, Micron đã giới thiệu các thiết bị DDR5 16Gb được sản xuất bằng quy trình 1γ 1-gamma mới sử dụng công nghệ lithography EUV, lần đầu tiên được áp dụng bởi Micron. Sản phẩm mới không chỉ có hiệu suất cao hơn mà còn tiêu thụ ít năng lượng hơn và dự kiến sẽ rẻ hơn để sản xuất. Công ty cũng cho biết công nghệ sản xuất 1γ của họ sẽ được áp dụng cho các sản phẩm DRAM khác trong tương lai.

Sản phẩm DDR5 9200 MTs của Micron là IC DDR5 16Gb 2GB được thiết kế với tốc độ truyền dữ liệu 9200 MTs ở điện áp chuẩn 1.1V. So với phiên bản trước — IC DDR5 16Gb được sản xuất trên quy trình 1β — thiết bị mới tiêu thụ ít hơn 20% năng lượng và có mật độ bit cao hơn 30%, điều này có thể dẫn đến giảm chi phí sản xuất khi các chip mới đạt được năng suất tương đương với các thiết bị DRAM 1β 16Gb.

Micron cho biết các IC DDR5 16Gb mới nhất của họ có tốc độ lên tới 9200 MT/s, vượt xa tiêu chuẩn hiện tại của DDR5. Công ty khẳng định chip vẫn hoạt động tốt ở tốc độ tuân thủ JEDEC, và tốc độ cao hơn sẽ giúp tương thích với các CPU thế hệ tiếp theo. Micron cũng đề xuất rằng các mô-đun bộ nhớ CUDIMMs hoặc dựa trên CXL có thể sử dụng tốc độ cao hơn JEDEC.

Các DIMM dành cho người đam mê cũng có khả năng áp dụng DRAM mới cho các mô-đun trên 10.000 MTs. Micron hiện đang thử nghiệm các IC DDR5 16Gb của mình được sản xuất trên công nghệ 1γ và đang làm việc với các nhà sản xuất laptop và server để hoàn tất chứng nhận trong một hoặc hai quý tới. Điều này có nghĩa là chúng ta sẽ thấy các thiết bị bộ nhớ mới nhất của Micron trong các sản phẩm bán lẻ bắt đầu từ giữa năm 2025.

Công ty kỳ vọng tất cả các loại mô-đun bộ nhớ cho máy tính để bàn, laptop và máy chủ sẽ áp dụng chip bộ nhớ mới của họ. Với việc các DRAM dựa trên Microns 1γ mang lại hiệu suất cao cho máy tính để bàn và tiêu thụ điện năng thấp cho laptop và máy chủ, chúng tôi tin rằng các IC DDR5 16 Gb mới nhất của hãng sẽ rất được ưa chuộng khi ra mắt trên thị trường.

Micron sẽ sử dụng công nghệ sản xuất 1γ để sản xuất các loại sản phẩm bộ nhớ khác như GDDR7, LPDDR5X với tốc độ lên đến 9600 MTs và các sản phẩm cho trung tâm dữ liệu. Công nghệ sản xuất 1γ là công nghệ đầu tiên của Micron áp dụng công nghệ in lithography cực tím (EUV), mà các nhà sản xuất bộ nhớ hàng đầu khác đã áp dụng từ nhiều năm trước.

Đã có thời gian chờ đợi, và sản phẩm mới này hứa hẹn mang lại nhiều lợi ích so với các dòng sản phẩm hiện tại. Micron không tiết lộ số lượng lớp EUV trong nút sản xuất mới, nhưng có thể suy đoán rằng công ty sử dụng EUV cho các lớp quan trọng nhằm giảm thiểu việc sử dụng multi-patterning, điều này có thể kéo dài chu kỳ sản xuất và ảnh hưởng đến năng suất. Micron cho biết rằng 1γ sử dụng EUV kết hợp với các kỹ thuật DUV multi-patterning.

Công nghệ quy trình DRAM 1γ của Micron sử dụng công nghệ cổng kim loại cao cấp thế hệ tiếp theo và mạch BEOL hoàn toàn mới. Ngoài việc áp dụng EUV trong 1γ, chúng tôi đã giới thiệu CMOS cổng kim loại cao cấp thế hệ tiếp theo và các quy trình BEOL tiên tiến, cho phép tốc độ truyền dữ liệu 9200 MTs, cải thiện 15% so với DRAM 1β, đồng thời giảm tiêu thụ điện năng khoảng 20%.

Hiện tại, Micron sản xuất DRAM 1γ tại các nhà máy ở Nhật Bản, nơi lắp đặt công cụ EUV đầu tiên vào năm 2024. Khi tăng cường sản xuất bộ nhớ 1γ, công ty sẽ bổ sung thêm các hệ thống EUV tại các nhà máy ở Nhật Bản và Đài Loan.

Nguồn: www.tomshardware.com/pc-components/dram/micron-unveils-ddr5-9200-memory-1g-process-technology-with-euv