G.Skill giới thiệu vụ ép xung DDR5-10600 RAM và DDR5-8133 Cudimm

G.Skill đã giới thiệu bộ nhớ DDR5-10600 ép xung cùng bo mạch ROG Crosshair X870E Apex mới của Asus, tối ưu cho việc ép xung DRAM với hai khe DIMM. Hãng cũng ra mắt bộ nhớ DDR5-8133 CSODIMM để cạnh tranh với các RAM hàng đầu. Người ép xung Safedisk đã đẩy bộ 2x24GB DDR5-8000 sử dụng chip SK Hynix lên DDR5-10600, gấp đôi hiệu suất tần số định mức của bộ nhớ.

Thời gian CL50-62-62-88 là hợp lý, nhất là với tần suất cao. Việc ép xung ấn tượng được thực hiện với Ryzen 5 8500G kết hợp với tản nhiệt nước, và các mô-đun DRAM G.Skill cũng được làm mát bằng nước. Hình chụp cho thấy ép xung ổn định lên đến 106 trên RunMemtestPro, tương đương 48 phút thử nghiệm căng thẳng. G.Skill cũng trình diễn Ryzen 7 9800X3D với bộ nhớ DDR5-6800 có thời gian CL28-40-38-55 tại 1.

Tốc độ 65V với bộ điều khiển bộ nhớ và tần số DRAM đồng bộ theo tỷ lệ 11 trên cùng một bo mạch Apex. Việc ép xung bộ nhớ vẫn ổn định trong 51 phút thử nghiệm RunMemtestPro. Điều này ấn tượng do những hạn chế kiến trúc của chipset Ryzen của AMD, không tính các APU Ryzen với bộ điều khiển bộ nhớ mạnh mẽ hơn. Trước đây, các CPU AM5 của AMD chỉ đạt khoảng DDR5-6000 đến DDR5-6400 cho ép xung DRAM ở tỷ lệ 11 cho UCLK và MCLK.

G.Skill vừa ra mắt bộ nhớ CSODIMM mới với dung lượng 48GB (2x24GB) hoạt động ở tốc độ cực nhanh DDR5-8133, với thời gian trễ CL46-52-52-130. CSODIMM là phiên bản nâng cấp của SODIMM, sử dụng driver đồng hồ CKD, cho phép đạt được tốc độ DDR5 cực cao như DDR5-8133.

G.Skill đã hợp tác với ASRock để đảm bảo tính tương thích của bộ nhớ CSODIMM dual-channel mới với máy tính ASRock DeskMini B860, hỗ trợ CPU Intel Core Ultra 200S. Bộ nhớ này đã được kiểm tra ổn định trên bo mạch B860M-STX tích hợp và CPU Core Ultra 9 285, hoàn thành một giờ thử nghiệm với RunMemtestPro. Hiện tại, G.Skill chưa công bố giá cả và thời gian ra mắt cho bộ nhớ DDR5-8133 CSODIMM này.

Nguồn: www.tomshardware.com/pc-components/ram/g-skill-showcases-ddr5-10600-ram-overlock-and-ddr5-8133-csodimms