Nghiên cứu tiến hành bởi nhóm các nhà khoa học tại Đại học Bắc Kinh, vừa được công bố trên tạp chí Nature và được đánh giá là đột phá bởi đây là lần đầu tiên bán dẫn GAAFET 2 chiều được tạo ra. Peng Hailin, người dẫn đầu nhóm nghiên cứu nói rằng "đây là loại bán dẫn nhanh và hiệu quả nhất từng được tạo ra. Nếu ví các đột phá trước giờ về vật liệu chip là 'đường tắt', thì việc chúng tôi phát triển ra bán dẫn dựa trên vật liệu 2D cs thể gọi là 'chuyển làn đường'". Nhóm nghiên cứu cho biết họ đã thử so sánh loại bán dẫn vừa phát triển với bán dẫn của Intel, TSMC, Samsung cùng nhiều công ty khác. Kết quả cho thấy bán dẫn của nhóm đạt ưu thế vượt trội hơn nhiều ở cùng điều kiện hoạt động. Trọng tâm của nghiên cứu nói trên chính là GAAFET - Gate-all-around field-effect transistors - cái được cho là công nghệ bán dẫn thế hệ tiếp theo của MOSFET và FINFET. Trước giờ, các đột phá về bán dẫn chủ yếu chính là tìm cách cải thiện giao tiếp giữa nguồn và các cổng. Nếu như MOSFET có nguồn tiếp xúc trên một mặt phẳng với cổng, FINFET có ba mặt phẳng tiếp xúc với cổng thì GAA có thiết kế với các cổng bao quanh nguồn tại các điểm giao giữa các cổng. Trên thực tế, bán dẫn GAAFET không phải là quá mới. Từ lâu người ta đã dùng nó để chế tạo ra các vi mạch trên tiến trình từ 3nm đổ xuống. Tuy nhiên, đột phá của nhóm tại Đại học Bắc Kinh là bán dẫn GAAFET 2 chiều và được tạo ra từ một loại nguyên liệu khác chứ không phải là silicon. Thay vào đó, họ sử dụng bismuth oxyselenide Bi₂O₂Se - một loại vật liệu bán dẫn từ nhiều năm nay vẫn được nghiên cứu để sản xuất các node dưới 1nm. Các bán dẫn 2 chiều có ưu thế là linh hoạt và ổn định hơn ở quy mô nhỏ so với silicon vốn luôn gặp phải vấn đề về độ linh động của các electron ngay cả khi ở node 10nm. Nghiên cứu lần này về bán dẫn 2D xếp chồng và đặc biệt là việc chuyển từ silicon sang bosmuth được đánh giá là khá thú vị cho tương lai của ngành bán dẫn. Nếu có thể thương mại hóa, đây rõ ràng là vũ khí quan trọng của Trung Quốc trong cuộc đua bán dẫn với Mỹ. Từ lâu, dưới tác động của thương chiến, Trung Quốc đã nhận thấy những rủi ro khi bị ngăn không thể tiếp cận tới các công cụ sản xuất chip, thí dụ như công nghệ in thạch bản EUV vốn là cái mà phần còn lại của thế giới đang dùng để sản xuất chip. Do đó, họ đã đầu tư mạnh vào nghiên cứu nhằm tìm cách vượt qua giới hạn hiện tại của ngành công nghiệp chip toàn cầu chứ không chỉ đơn thuần là đuổi kịp. Tất nhiên, bán dẫn GAAFET 2D trong nghiên cứu này có thể không phải là tương lai của việc sản xuất bán dẫn, tuy nhiên nó thể hiện những động thái rõ ràng hơn, nhanh hơn của việc nghiên cứu công nghệ cao tại Trung Quốc. Việc Mỹ tìm cách kiềm tỏa Trung Quốc, ngăn họ tiếp cận với những công nghệ sẵn có đang được Mỹ và đồng minh sở hữu, có thể vô tình lại đặt Trung Quốc vào vị thế sống còn trong việc tự tìm cách phát triển công nghệ để thoát khỏi sự lệ thuộc vào phương tây.