3D X-DRAM AIMS cho công suất 10 lần của bộ nhớ ngày nay-Bộ nhớ của chất bán dẫn NEO có tới 512 GB mỗi mô-đun

NEO Semiconductor vừa công bố công nghệ mới có thể cách mạng hóa bộ nhớ DRAM. Họ đã ra mắt hai thiết kế ô 3D X-DRAM mới, 1T1C và 3T0C. Các thiết kế này dự kiến sẽ có chip thử nghiệm vào năm 2026 và hứa hẹn gấp 10 lần dung lượng so với các mô-đun DRAM thông thường. Dựa trên công nghệ 3D X-DRAM hiện có, các ô mới có khả năng lưu trữ 512 Gb (64 GB) trên một mô-đun, gấp ít nhất 10 lần so với các mô-đun hiện có trên thị trường.

Các mô phỏng thử nghiệm của NEO đo được tốc độ đọc/ghi 10 nan giây và thời gian lưu trữ hơn 9 phút, đều thuộc hàng đầu trong khả năng của DRAM hiện tại. Nhờ thiết kế dựa trên oxit indium gallium kẽm (IGZO) - một vật liệu tinh thể thường được sử dụng trong công nghệ màn hình - các tế bào 1T1C và 3T0C có thể được xây dựng theo kiểu xếp chồng giống như 3D NAND, giúp cải thiện dung lượng và băng thông trong khi vẫn tiết kiệm năng lượng.

Các tế bào được thiết kế theo quy trình 3D NAND cải tiến, với hy vọng rằng các cơ sở sản xuất 3D NAND hiện tại có thể được nâng cấp nhanh chóng để chế tạo các thiết kế mới. "Với sự ra mắt của 3D X-DRAM 1T1C và 3T0C, chúng tôi đang định hình lại khả năng của công nghệ bộ nhớ," Giám đốc điều hành NEO, Andy Hsu, cho biết. Đổi mới này vượt qua các giới hạn về mở rộng của DRAM hiện tại và giúp NEO trở thành người dẫn đầu trong công nghệ bộ nhớ thế hệ tiếp theo.

Mặc dù các CEO luôn lạc quan về tương lai của công ty, Hsu có thể đúng về thiết kế 1T1C, có khả năng trở thành đối thủ lớn của DRAM hơn so với các sáng kiến trước đây của NEO, như công nghệ 3D X-AI chỉ thích hợp cho các máy tính AIHPC tùy chỉnh. NEO Semiconductor dự kiến sẽ công bố thêm thông tin về 1T1C, 3T0C và các dòng 3D X-DRAM, 3D NAND tại hội nghị IEEE IMW trong tháng này.

Các công ty và công nghệ như DRAM dựa trên FeRAM đang cạnh tranh để trở thành bước tiếp theo trong công nghệ DRAM, trong khi những nhà cung cấp như SK hynix vẫn tập trung phát triển DRAM tiêu chuẩn lớn hơn. 3D X-DRAM gặp nhiều khó khăn, mặc dù hứa hẹn về các mô-đun 512 Gb rất hấp dẫn. Hãy theo dõi Toms Hardware trên Google News để nhận tin tức, phân tích và đánh giá mới nhất.

Hãy chắc chắn nhấn nút Theo dõi.

Nguồn: www.tomshardware.com/pc-components/dram/3d-x-dram-aims-for-10x-capacity-of-todays-memory-neo-semiconductors-memory-has-up-to-512-gb-per-module