TSMC nhắc lại nó không cần EUV cao cho công nghệ quy trình 1,4nm

TSMC khẳng định lại quan điểm về công nghệ lithography High-NA EUV tại Hội nghị Công nghệ Châu Âu ở Amsterdam. Họ không cần các hệ thống lithography cao cấp nhất cho các công nghệ quy trình thế hệ tiếp theo như A16 1.6nm và A14 1.4nm. Vì vậy, TSMC sẽ không áp dụng công nghệ High-NA EUV cho các nút này. Kevin Zhang, Phó Giám đốc Điều hành và Phó Chủ tịch cấp cao về Phát triển Kinh doanh và Bán hàng Toàn cầu, cho biết: "Câu trả lời của chúng tôi rất đơn giản" khi được hỏi về việc TSMC sẽ sử dụng High-NA.

Khi thấy công nghệ High-NA mang lại lợi ích rõ ràng và có thể đo lường, chúng tôi sẽ áp dụng. Với quy trình A14, những cải tiến đã đề cập trước đây là rất đáng kể mà không cần sử dụng High-NA. Đội ngũ công nghệ của chúng tôi vẫn đang tìm cách kéo dài tuổi thọ của EUV hiện tại trong khi tận dụng lợi ích từ việc mở rộng. Quy trình A14 của TSMC dựa vào transistor nanosheet gate-all-around thế hệ thứ hai và kiến trúc tế bào chuẩn mới.

Theo TSMC, A14 cung cấp hiệu suất cao hơn 15% trong khi vẫn giữ mức tiêu thụ điện năng và độ phức tạp tương tự, hoặc tiêu thụ điện năng thấp hơn 25 đến 30% ở cùng tần số. Về mật độ bóng bán dẫn, A14 đạt mức tăng 20% so với N2 đối với các cấu hình logic, SRAM và analog hỗn hợp, và lên đến 23% đối với logic thuần túy. Mặc dù Intel đang dẫn đầu trong công nghệ chế tạo chip High-NA EUV, nhưng chi phí và hạn chế khác có thể làm chậm việc áp dụng rộng rãi trong ngành. TSMC dự kiến bắt đầu sản xuất quy trình 2nm N2 trong năm nay, A16 và N2P sẽ ra mắt vào năm sau. Kevin Zhang, phó chủ tịch TSMC, cho biết công nghệ quy trình của họ không cần công cụ lithography High-NA EUV thế hệ tiếp theo để sản xuất chip với hiệu suất và đặc tính tiêu thụ điện năng ổn định trên các công nghệ A16 và A14.

Cần lưu ý rằng A16 của TSMC thực chất là N2P với mạng lưới cung cấp điện Super Power Rail (SPR) ở mặt sau. Vì TSMC không cần công cụ High-NA EUV cho N2 và N2P, nên cũng không cần cho A16. Ngược lại, A14 là một nút hoàn toàn mới sẽ được sản xuất hàng loạt vào năm 2028, vì vậy việc TSMC không cần High-NA cho A14 là điều đáng chú ý. Khi được hỏi liệu A14 có phụ thuộc nhiều vào multi-patterning không, Zhang cho biết ông không thể bình luận về chi tiết, nhưng đội ngũ công nghệ của TSMC đã tìm ra cách sản xuất chip trên nền tảng 1.

Zhang cho biết nhóm công nghệ của họ đã tạo ra bước đột phá khi áp dụng quy trình 4nm mà không cần sử dụng công cụ EUV High-NA với độ phân giải 8nm, so với 13.5nm của hệ thống Low-NA. Ông nhấn mạnh rằng miễn là họ tiếp tục tìm ra phương pháp, việc sử dụng EUV High-NA có thể không cần thiết ngay lập tức. Tuy nhiên, họ sẽ sử dụng công nghệ này trong tương lai khi tìm được thời điểm hợp lý để tối đa hóa lợi ích và tỷ suất lợi nhuận.

Đáng chú ý là A14 của TSMC sẽ được kế nhiệm bởi A14 sử dụng công nghệ cung cấp điện SPR vào năm 2029, và có vẻ như xưởng sản xuất này không cần thiết phải sử dụng công cụ EUV High-NA cho phiên bản này. Khác với Intel, dự kiến sẽ bắt đầu sử dụng máy lithography EUV thế hệ tiếp theo với công nghệ sản xuất 14A vào năm 2027 - 2028, TSMC không có kế hoạch sử dụng EUV High-NA cho sản xuất hàng loạt cho đến ít nhất là năm 2030, hoặc có thể còn lâu hơn.

Theo dõi Toms Hardware trên Google News để nhận tin tức, phân tích và đánh giá mới nhất. Đừng quên nhấn nút Theo dõi.

Nguồn: www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/tsmc-reiterates-it-doesnt-need-high-na-euv-for-1-4nm-class-process-technology