Samsung được cho là thiết kế lại quy trình DRAM 1C của mình để đạt được tỷ lệ năng suất được cải thiện;Sẽ quyết định cách HBM4 bật ra

Samsung đang xem xét thiết kế lại DRAM 1c thế hệ thứ 6 để cải thiện tỷ lệ thành phẩm và tăng cường cạnh tranh cho quy trình HBM4 sắp tới. Theo ZDNet Korea, công ty Hàn Quốc này đã đánh giá các thiết kế cho quy trình DRAM tiên tiến từ nửa cuối năm 2024 và đã tái thiết kế DRAM 1c cao cấp nhằm đảm bảo quy trình HBM sắp tới sẽ được thị trường chấp nhận, khác với các phiên bản HBM3 đã gặp khó khăn trong việc tích hợp từ các nhà sản xuất như NVIDIA.

Báo cáo cho biết quy trình DRAM tiên tiến của Samsung không đạt được tỷ lệ sản xuất mục tiêu khoảng 60-70%, dẫn đến việc công ty không thể tiến hành sản xuất hàng loạt. Vấn đề chính nằm ở kích thước của chip DRAM 1c; Samsung đã tập trung vào việc giảm kích thước để tăng khối lượng sản xuất, nhưng điều này đã ảnh hưởng đến sự ổn định của quy trình, khiến tỷ lệ sản xuất giảm.

Samsung Electronics đã thay đổi thiết kế DRAM 1c để tăng kích thước chip và tập trung vào việc cải thiện năng suất, với mục tiêu vào giữa năm nay. Họ đang hướng tới việc sản xuất ổn định bộ nhớ thế hệ mới, dù chi phí cao hơn. Quy trình 1c DRAM của Samsung rất quan trọng cho các sản phẩm HBM4 của công ty. Trong khi các đối thủ như SK Hynix và Micron đã hoàn thiện thiết kế, Samsung đang gặp áp lực thời gian.

Với danh tiếng không mấy tốt trong ngành, đặc biệt sau sự cố HBM3, Samsung cần đảm bảo quy trình DRAM 1c đáp ứng tiêu chuẩn ngành. Hiện tại, vẫn còn nhiều nghi vấn về quy trình DRAM thế hệ thứ 6 của Samsung, nhưng dự kiến sẽ có sự phát triển trong những tháng tới, có thể giúp quy trình HBM4 của Samsung vào đúng lộ trình sản xuất hàng loạt vào cuối năm nay.

Nguồn: wccftech.com/samsung-is-redesigning-its-1c-dram-process-to-achieve-improved-yield-rates/