Galaxy S25 Edge được kiểm tra lại trong rò rỉ điểm chuẩn mới, với Snapdragon 8 Elite 8 lõi được ép xung cho thấy tiềm năng đầy đủ của nó trong các bài kiểm tra đa lõi

Lần thử nghiệm gần đây của Galaxy S25 Edge cho thấy điểm số của Snapdragon 8 Elite rất đáng thất vọng, giống như một thế hệ cũ trong phần đa nhân. Ban đầu, chúng tôi nghĩ rằng việc thiếu hệ thống làm mát trên flagship này là nguyên nhân dẫn đến điểm số thấp. Tuy nhiên, sau khi được thử nghiệm lại, kết quả cập nhật cho thấy Snapdragon 8 Elite có hiệu suất tương đương với phiên bản trong ba mẫu khác của Samsung.

Điểm số mới của Galaxy S25 Edge cho thấy cải tiến đáng kể 21,6% trong điểm đa lõi, nhưng điểm đơn lõi giảm. Trong danh sách Geekbench 6 được đăng tải ngày 11 tháng 2, Galaxy S25 Edge (mã SM-S937B) đạt điểm đa lõi 8.416, nhanh hơn 21% so với trước đây. Tuy nhiên, điểm đơn lõi 2.806 thấp hơn mức 3.005 mà chúng tôi đã báo cáo trước đó.

Trong thời gian đó, có thể Geekbench 6 chưa tối ưu cho Snapdragon 8 Elite, nhưng hiện tại, các điểm số mới phản ánh đúng tiềm năng của chipset này. Đặc biệt, Samsung đã chọn phiên bản ép xung với các lõi hiệu suất chạy ở 4.47GHz thay vì 4.32GHz mặc định. Với thiết kế mỏng của Galaxy S25 Edge, công ty có thể đã chọn Snapdragon 8 Elite thông thường hoặc phiên bản 7 lõi để tiết kiệm chi phí, nhưng có vẻ như Samsung không muốn giảm chất lượng ấn tượng của flagship này trong mắt người tiêu dùng.

Về các thông số khác, Galaxy S25 Edge trang bị 12GB RAM, cho thấy Samsung đã chuẩn hóa dung lượng bộ nhớ này cho cả bốn phiên bản. Các điểm số mới cũng cho thấy flagship này sắp ra mắt, và theo thông tin, model này sẽ được công bố vào tháng 4. Rò rỉ điểm chuẩn mới mang lại hy vọng cho hiệu suất của Galaxy S25 Edge, nhưng sẽ rất thú vị khi xem nó hoạt động trong các bài kiểm tra khác, đặc biệt là trong điều kiện khí hậu nóng ẩm. Hãy theo dõi để cập nhật thêm.

Nguồn: wccftech.com/galaxy-s25-edge-new-benchmark-leak-shows-proper-snapdragon-8-elite-performance/