Sandisk đặt SSD Petabyte vào lộ trình, nhưng không có ngày phát hành

Trong buổi Investor Day tuần trước, Sandisk đã thảo luận về các ổ cứng SSD 1PB (1 petabyte) dựa trên UltraQLC sắp ra mắt, cùng với một số thông tin không mong đợi về 3D DRAM, nhưng chưa có kế hoạch cụ thể cho điều này. UltraQLC không phải là một loại bộ nhớ riêng lẻ, mà là sự kết hợp giữa BICS 8 QLC 3D NAND của Sandisk, một bộ điều khiển độc quyền rất tiên tiến với 64 kênh NAND, và firmware.

Trên thực tế, bộ điều khiển thiết kế tùy chỉnh là trung tâm của UltraQLC, vì nó tích hợp các bộ tăng tốc phần cứng chuyên biệt để giảm tải các chức năng lưu trữ quan trọng từ firmware, giúp giảm độ trễ, tăng băng thông và cải thiện độ tin cậy cho nhu cầu lưu trữ quy mô lớn. Bộ điều khiển cũng điều chỉnh công suất một cách linh hoạt dựa trên nhu cầu công việc, đảm bảo hiệu quả năng lượng tối ưu.

Chip cũng được trang bị bộ chuyển mạch bus tiên tiến, giúp quản lý khối lượng dữ liệu lớn từ các cụm bộ nhớ 3D QLC NAND có mật độ cao, cho phép sử dụng đầy đủ kênh mà không giảm hiệu suất. UltraQLC được thiết kế đặc biệt dựa trên kinh nghiệm hàng thập kỷ và kiến thức hiện tại, nhằm phục vụ cho hạ tầng dữ liệu hiện đại mà vẫn đảm bảo mật độ, hiệu suất và hiệu quả năng lượng, theo Khurram Ismail, giám đốc Kỹ thuật và Quản lý Sản phẩm sắp tới tại Sandisk.

Nó được xây dựng dựa trên ba yếu tố chính: công nghệ BICS 8 NAND và NAND tương lai, bộ điều khiển tùy chỉnh, và thiết kế hệ thống tiên tiến. Hiện tại, các SSD UltraQLC sẽ sử dụng IC bộ nhớ NAND 2Tb để đạt dung lượng 128TB.

Về mặt kĩ thuật, bộ điều khiển 64 kênh có thể tăng dung lượng nhưng lại ảnh hưởng đến hiệu suất. Sandisk sắp ra mắt các thiết bị NAND nhớ có dung lượng lớn hơn, với kế hoạch phát hành ổ đĩa 256TB, 512TB và cuối cùng là 1PB trong những năm tới. Hiện tại, 3D DRAM chưa có mặt. Trong lĩnh vực AI và tính toán hiệu suất cao, vấn đề "bức tường bộ nhớ" đang trở nên quan trọng do nhu cầu về dung lượng bộ nhớ lớn cho việc huấn luyện AI.

Sandisk cho biết việc mở rộng DRAM truyền thống có thể không còn đáp ứng được nhu cầu đào tạo AI. Vấn đề "bức tường bộ nhớ" - khoảng cách ngày càng lớn giữa nhu cầu ứng dụng và khả năng công nghệ - đang tạo áp lực chi phí trong AI và tính toán. Các mô hình ngôn ngữ lớn (LLMs) đang phát triển gấp 10 lần mỗi 1-2 năm, đòi hỏi tăng cường hiệu suất bộ nhớ đáng kể. Đây là lúc 3D DRAM của Sandisk trở thành giải pháp.

Công việc này đã tiến hành một thời gian dài, nhưng những thách thức công nghệ rất khó khăn và hiện tại chưa có hướng rõ ràng để đạt được DRAM 3D, theo Alper Ilkbahar, giám đốc công nghệ bộ nhớ tại SanDisk. Để giải quyết vấn đề này, ba giải pháp tiềm năng đã được đề xuất. Giải pháp đầu tiên là tăng cường đầu tư mạnh mẽ vào việc mở rộng DRAM, mặc dù lợi ích giảm dần.

Thứ hai là DRAM 3D, một nỗ lực mở rộng DRAM theo chiều dọc, giống như 3D NAND, nhưng gặp nhiều thách thức công nghệ lớn, vì vậy con đường này còn chưa chắc chắn. Thứ ba và được ưa chuộng hơn là phát triển các công nghệ bộ nhớ mở rộng mới như HBF, mà Sandisk đang tích cực theo đuổi như một giải pháp thay thế cho những hạn chế của DRAM truyền thống. Khi Sandisk và Western Digital chuẩn bị tách rời, cả hai thương hiệu vẫn đang thuộc Western Digital Corp. về mặt kỹ thuật.

Cả hai công ty đã tổ chức Ngày Nhà Đầu Tư vào tuần trước, tiết lộ nhiều thông tin bất ngờ. Chúng tôi đã đề cập đến High Bandwidth Flash của Sandisk và công nghệ ghi từ tính HDMR.

Nguồn: www.tomshardware.com/tech-industry/sandisk-puts-petabyte-ssds-on-the-roadmap-has-yet-to-reveal-release-date