Nhà sản xuất chip Trung Quốc vận chuyển kỷ lục: YMTC lặng lẽ bắt đầu vận chuyển thế hệ thứ 5 3D TLC NAND

Công ty Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) đã âm thầm bắt đầu vận chuyển bộ nhớ 3D NAND thế hệ thứ 5 với 294 lớp tổng cộng và 232 lớp hoạt động. Các nhà phân tích từ TechInsights đã có được các vi mạch này để phân tích. YMTC đã thành công trong việc tăng mật độ bit lên mức tương đương với các đối thủ trong ngành, đồng thời đạt được mật độ cổng dọc cao nhất, bất chấp các lệnh trừng phạt từ Mỹ.

Chip mới có tổng cộng 294 lớp hoặc cổng cho mỗi chuỗi NAND dọc, là mức cao nhất hiện tại theo TechInsights. Số lớp hoạt động của 3D NAND thế hệ thứ 5 của YMTC dự kiến là 232, giống như thế hệ thứ 4, nhưng với tổng cộng 253 lớp. Việc tăng tổng số lớp có thể giúp cải thiện tỷ lệ sản xuất bằng cách tăng tính dư thừa hoặc cho phép một số tính năng nhất định.

Giống như các thế hệ trước, thiết bị 3D NAND sử dụng phương pháp xếp chồng chuỗi. Tuy nhiên, chưa rõ liệu Yangtze Memory sử dụng hai mảng 147 lớp hay nhiều mảng với ít lớp hơn. Dù sao, 294 lớp bao gồm cả lớp hoạt động và lớp giả là một cột mốc quan trọng cho YMTC và toàn ngành bộ nhớ flash.

Dưới đây là tóm tắt ngắn gọn:

• Các mô hình G3, G4, G5, và G6 có công nghệ Xtacking từ 1.0 đến 4.0 với các thông số khác nhau về dung lượng và số lượng lớp.

• G6 có 232 lớp hoạt động, không phải là mức kỷ lục nhưng tương đương với các đối thủ.

Chỉ có SK hynix với 321 lớp 3D NAND thế hệ 9 là có hơn 300 lớp hoạt động, và sẽ bắt đầu xuất xưởng trong nửa đầu năm nay. Thành tựu 294 lớp tổng cộng của YMTC không chỉ giúp họ trở thành đối thủ mạnh trong thị trường bộ nhớ NAND flash toàn cầu mà còn cho thấy sự tiến bộ đáng kể của ngành công nghiệp bán dẫn Trung Quốc giữa những lệnh trừng phạt lớn từ Mỹ.

Về mật độ bit, thiết bị 3D TLC thế hệ thứ 5 của YMTC vượt qua 20 Gbmm², tương đương với sản phẩm 3D TLC NAND IC của SK hynix, và chỉ thấp hơn một chút so với 22.9 Gbmm² của thiết bị 3D QLC NAND BiCS8 của Kioxia. Các đối thủ của YMTC vẫn chưa ra mắt chip 3D TLC NAND có mật độ tương tự.

0Gen 4 đến Gen 9 có các thông số như sau:

• Số lớp: 232 lớp (G9), 276 lớp (V9), 290 lớp (BiCS 8), 218 lớp (Gen 9), 321 lớp (Gen 9).

• Mật độ trên mỗi mm2: 20 Gb/mm2 (G9), 19.8 Gb/mm2 (V9), 21.0 Gb/mm2 (BiCS 8), 17 Gb/mm2 (Gen 9), 22.9 Gb/mm2 (Gen 9), 20 Gb/mm2 (Gen 9).

• Kiến trúc: TLC (G9, V9, BiCS 8), QLC (Gen 9).

• Dung lượng chip: 1 Tb (G9, V9, BiCS 8, Gen 9), 2 Tb (Gen 9).

• Tốc độ giao tiếp: Tối đa 3600 MT/s (G9, BiCS 8), 3200 MT/s (V9), chưa xác định với các phiên bản khác.

Yangtze Memory tiếp tục sử dụng công nghệ liên kết lai với các thiết bị NAND TLC 232 lớp thế hệ 5, nhằm tối đa hóa mật độ lưu trữ và hiệu suất IO cho các SSD vượt trội hơn so với đối thủ.

YMTC sử dụng kiến trúc Xtacking 4.0 cho các IC NAND 3D TLC của mình. Việc ra mắt NAND 3D 232 lớp với 294 cổng mỗi chuỗi NAND đánh dấu một cột mốc quan trọng cho công ty cũng như ngành công nghiệp bộ nhớ Trung Quốc. Đáng chú ý là Yangtze Memory chưa chính thức công bố các thiết bị 3D TLC NAND thế hệ thứ 5 nhưng đã âm thầm bắt đầu giao hàng với số lượng lớn, có thể để tránh thu hút sự chú ý từ Mỹ.

Chính phủ S. và nguy cơ bị trừng phạt thêm.

Nguồn: www.tomshardware.com/pc-components/ssds/chinese-chipmaker-ships-record-breaking-chips-ymtc-quietly-begins-shipping-5th-gen-3d-tlc-nand