Micron mẫu bộ nhớ dựa trên EUV đột phá

Micron đã bắt đầu cung cấp mẫu bộ nhớ LPDDR5X đầu tiên được sản xuất bằng quy trình chế tạo 1γ 1-gamma sử dụng công nghệ lithography EUV. Công ty cho biết điều này trong cuộc gọi hội nghị với các nhà đầu tư tuần này. Các thiết bị mới được cho là hiệu suất tốt hơn, đồng thời cho thấy Micron đang tiến tới sản xuất DRAM bằng công nghệ lithography EUV.

Chúng tôi đang tiến triển tốt với công nghệ DRAM 1γ 1-gamma, và năng suất đang tăng nhanh hơn so với mức kỷ lục mà chúng tôi đạt được với công nghệ 1β 1-beta, theo lời Sanjay Mehrotra, CEO của Micron. Chúng tôi đã hoàn thành nhiều cột mốc quan trọng trong quý này, bao gồm các lô hàng mẫu đầu tiên của DRAM LP5 dựa trên 1γ. Công nghệ quy trình 1γ của Micron là thế hệ thứ 6 với kích thước 10nm, hứa hẹn giảm tiêu thụ điện năng của IC DRAM xuống 20% và cải thiện hiệu suất lên 15% so với công nghệ sản xuất 1β trước đó.

Công nghệ mới có mật độ bit cao hơn 30%, là một cải tiến đáng kể so với phiên bản trước, có thể dẫn đến giảm chi phí sản xuất khi DRAM mới đạt được năng suất tương tự như các thiết bị DRAM 1β. Micron đã bắt đầu gửi mẫu bộ nhớ HBM4 cho khách hàng với dung lượng 36 GB và băng thông 2 TB, trong khi 3D X-DRAM hướng tới dung lượng gấp 10 lần bộ nhớ hiện tại. Bộ nhớ của NEO Semiconductors có thể đạt tới 512 Gb mỗi module, và sản xuất DDR4 sẽ kết thúc vào cuối năm nay, với Micron là công ty cuối cùng tham gia. Đáng chú ý, các IC LPDDR5X dựa trên công nghệ 1γ của Micron không phải là thiết bị bộ nhớ đầu tiên của công ty sử dụng công nghệ này.

Đầu năm nay, công ty đã giới thiệu các vi mạch DDR5-9200 16Gb hứa hẹn hiệu suất cao hơn và tiêu thụ điện năng thấp hơn so với các phiên bản trước. Tuy nhiên, công ty chưa có thông tin cập nhật về tiến độ mẫu thử của các DRAM này. Theo thời gian, Micron dự kiến sẽ áp dụng công nghệ DRAM 10nm thế hệ 6 cho toàn bộ sản phẩm bộ nhớ, bao gồm DDR5 và LPDDR5X, hiện đang được đánh giá lên tới 10.

Micron sẽ áp dụng công nghệ 1γ cho tất cả sản phẩm DRAM của mình nhằm tận dụng công nghệ tiên tiến này. Họ là nhà sản xuất DRAM lớn cuối cùng áp dụng công nghệ lithography EUV trong quy trình sản xuất 1γ. Mặc dù Micron chưa công bố số lượng lớp sử dụng EUV, nhưng có khả năng công nghệ này chỉ được sử dụng cho các lớp phức tạp nhất để tránh việc sử dụng nhiều mẫu tốn thời gian.

Quy trình 1γ vẫn kết hợp EUV với công nghệ đa khuôn truyền thống DUV, đồng thời giới thiệu cổng kim loại cao-k cải tiến và thiết kế lại mạch BEOL. Micron hiện đang sản xuất DRAM 1γ tại Nhật Bản, nơi công cụ EUV đầu tiên được đưa vào hoạt động vào năm 2024, và có kế hoạch mở rộng năng lực EUV tại cả Nhật Bản và Đài Loan. Hãy theo dõi Toms Hardware trên Google News để cập nhật tin tức, phân tích và đánh giá mới nhất.

Hãy nhớ nhấn nút Theo dõi.

Nguồn: www.tomshardware.com/pc-components/dram/micron-samples-ground-breaking-euv-based-memory-new-dram-process-slashes-power-consumption-by-20-percent-and-boosts-performance-by-15-percent