SK Hynix Khởi Động Sản Xuất Hàng Loạt FLAS Trên Toàn Cầu
SK Hynix thúc đẩy sản xuất 4D NAND với 321 lớp, tăng 35% so với thế hệ trước
SK Hynix, một trong những nhà sản xuất bộ nhớ và thiết bị lưu trữ hàng đầu, đã bắt đầu sản xuất hàng loạt 4D NAND TLC 321 lớp, mang lại thêm 83 lớp so với các sản phẩm NAND flash trước đây. Công nghệ mới này đánh dấu bước tiến lớn với mức tăng 35% số lớp, nâng cao hiệu suất và dung lượng lưu trữ.
Công ty lần đầu tiên giới thiệu TLC NAND 321 lớp vào năm ngoái, với khả năng cung cấp 1TB trên mỗi chip bộ nhớ, đáp ứng nhu cầu ngày càng cao về các giải pháp lưu trữ dung lượng lớn và hiệu quả hơn. SK Hynix tiếp tục khẳng định vị thế dẫn đầu trong ngành công nghiệp bộ nhớ với những cải tiến đột phá này.
Nguồn hình ảnh: SK Hynix
SK Hynix tiên phong sản xuất 4D NAND 321 lớp, đánh dấu bước tiến vượt bậc trong công nghệ lưu trữ
Ban đầu dự kiến sẽ đi vào sản xuất hàng loạt vào quý 1 năm 2025, SK Hynix đã bắt đầu sản xuất sớm hơn vài tháng so với kế hoạch. Đây là NAND 321 lớp đầu tiên trên thế giới, tăng 35% số lượng lớp so với thế hệ trước, mang lại khả năng lưu trữ vượt trội cùng độ tin cậy được cải thiện đáng kể.
Công nghệ đột phá đạt hơn 300 lớp
Để đạt được cấu trúc hơn 300 lớp, SK Hynix đã sử dụng quy trình "3 phích cắm", một công nghệ kết nối bằng điện ba phích cắm. Quá trình này tạo ra các lỗ dọc trong lớp cơ chất, hình thành các ô nhớ. Để đảm bảo wafer không bị biến dạng, vật liệu căng thẳng thấp được áp dụng, kết hợp với công nghệ căn chỉnh chính xác, nâng cao chất lượng sản xuất và độ bền.
Hiệu suất vượt trội của NAND 321 lớp
Theo SK Hynix, dòng NAND mới này mang lại:
- Tăng 12% tốc độ truyền dữ liệu, cải thiện đáng kể hiệu suất xử lý.
- Hiệu suất đọc nhanh hơn 13%, hỗ trợ truy xuất dữ liệu hiệu quả hơn.
- Cải thiện 10% hiệu suất năng lượng, giúp tối ưu thời lượng pin cho các thiết bị.
- Năng suất sản xuất tăng 59% nhờ tối ưu hóa quy trình sản xuất.
Hướng đến các ứng dụng AI và dữ liệu tốc độ cao
"SK Hynix đang tiến gần hơn đến mục tiêu trở thành nhà cung cấp toàn diện cho hệ thống bộ nhớ AI, bổ sung danh mục NAND hiệu suất cực cao vào bên cạnh doanh nghiệp DRAM dẫn đầu bởi HBM."
— Jungdal Choi, Trưởng phòng Phát triển NAND tại SK Hynix.
Với 4D NAND 321 lớp, SK Hynix nhắm đến các ứng dụng tập trung vào AI, đặc biệt là những ứng dụng yêu cầu công suất thấp. Khi nhu cầu AI tăng nhanh, các trung tâm dữ liệu dựa vào SSD hiệu suất cao sẽ tận dụng tiềm năng vượt trội của dòng NAND này.
Dẫn đầu trong cuộc cạnh tranh ngành lưu trữ
Sự ra mắt sớm của NAND 321 lớp đã đưa SK Hynix vượt lên trước các đối thủ như Samsung và Micron, hai công ty đang cạnh tranh mạnh mẽ để cung cấp các giải pháp NAND tiên tiến. Thành tựu này khẳng định vị thế của SK Hynix trong ngành công nghệ lưu trữ và bộ nhớ.
Nguồn: SK Hynix bắt đầu sản xuất hàng loạt NAND 4D 321 lớp, dẫn đầu ngành lưu trữ toàn cầu.