SK Hynix bắt đầu lấy mẫu các mẫu HBM4 12 lớp đầu tiên của thế giới với công suất lên tới 36 GB & 2 TB/s Datarate, 12-Hi HBM3E & Socm cũng được giới thiệu

SK Hynix vừa công bố bộ nhớ 12-Hi HBM3e SOCAMM thế hệ tiếp theo, đồng thời bắt đầu thử nghiệm mẫu HBM4 12-Hi đầu tiên trên thế giới. Công ty đang phát triển nhanh chóng các sản phẩm bộ nhớ đổi mới cho phần cứng máy tính hàng đầu, như GPU trung tâm dữ liệu hiệu suất cao.

Công ty đã thông báo sẽ ra mắt bộ nhớ HBM3E 12-high và SOCAMM tại sự kiện GTC 2025, diễn ra từ 17 đến 21 tháng 3 tại Jose, California. Hình ảnh từ SK Hynix. Đây là đối thủ cạnh tranh mạnh mẽ của Samsung và Micron, và đã sản xuất mô-đun bộ nhớ SOCAMM S nhỏ gọn cho các chip AI mạnh mẽ của NVIDIA, dựa trên bộ nhớ CAMM phổ biến nhưng sẽ là DRAM tiêu thụ điện năng thấp.

Bộ nhớ SOCAMM của SK Hynix sẽ tăng cường đáng kể dung lượng bộ nhớ, cải thiện hiệu suất trong các tác vụ AI mà vẫn tiết kiệm năng lượng. Ngoài SOCAMM, SK Hynix cũng sẽ giới thiệu bộ nhớ HBM3E 12 tầng mà họ cung cấp cho NVIDIA để sản xuất GPU Blackwell GB300 mới nhất. SK Hynix đã ký hợp đồng độc quyền với NVIDIA cho chip AI GB300 và đang dẫn đầu so với các đối thủ.

SK Hynix đã sản xuất hàng loạt HBM3E 12H từ tháng 9 năm ngoái, trong khi Samsung cần thêm vài tháng nữa để theo kịp. Các lãnh đạo hàng đầu của SK Hynix sẽ trình diễn sản phẩm tại sự kiện GTC, bao gồm CEO Kwak Noh-Jung và các nhân vật chủ chốt khác. Các mẫu sản phẩm đã được giao trước thời hạn nhờ vào lợi thế công nghệ và kinh nghiệm sản xuất của SK Hynix, và công ty sẽ bắt đầu quy trình chứng nhận cho khách hàng.

SK hynix dự kiến hoàn tất chuẩn bị sản xuất hàng loạt sản phẩm HBM4 12 lớp trong nửa cuối năm, củng cố vị thế trong thị trường bộ nhớ AI thế hệ mới. Sản phẩm HBM4 12 lớp mẫu lần này có dung lượng và tốc độ tốt nhất trong ngành, rất cần thiết cho bộ nhớ AI. Sản phẩm đạt băng thông 1, có khả năng xử lý hơn 2TB dữ liệu mỗi giây lần đầu tiên.

Điều này có nghĩa là xử lý dữ liệu tương đương với hơn 400 bộ phim full-HD 5GB mỗi giây, nhanh hơn 60% so với thế hệ trước, HBM3E. SK hynix cũng đã áp dụng quy trình MR-MUF tiên tiến để đạt dung lượng 36GB, cao nhất trong các sản phẩm HBM 12 lớp. Quy trình này đã chứng minh tính cạnh tranh qua sản xuất thành công thế hệ trước, giúp ngăn chặn sự cong vênh của chip và tối ưu hóa độ ổn định sản phẩm bằng cách cải thiện khả năng tản nhiệt.

SK Hynix sẽ giới thiệu bộ nhớ HBM4 12-high tiên tiến, hiện đang trong quá trình phát triển và được gửi mẫu cho các khách hàng hàng đầu như NVIDIA, sẽ sử dụng trên dòng GPU Rubin. Bộ nhớ HBM4 12-Hi có dung lượng lên đến 36 GB mỗi stack và tốc độ dữ liệu lên đến 2 TB/s. Công ty dự kiến sẽ sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM4 12-Hi vào nửa cuối năm 2025, sử dụng quy trình 3nm của TSMC.

Nguồn: wccftech.com/sk-hynix-unveils-12-layer-hbm4-hbm3e-socamm-memory-sampling-to-customers/