Samsung tiết lộ Gen V-Nand thứ 10: Hơn 400 lớp, 5,6 gt/s và liên kết lai

Samsung đã giới thiệu bộ nhớ flash V-NAND thế hệ thứ 10 với hơn 400 lớp hoạt động và tốc độ giao diện 5.6 GTs tại Hội nghị Mạch Rắn Quốc Tế 2025. Loại bộ nhớ mới này không chỉ có số lượng lớp hoạt động kỷ lục và hiệu suất vượt trội, mà còn sử dụng kiến trúc cell-on-peripheral CoP với liên kết hybrid, lần đầu tiên được áp dụng bởi Samsung.

Thiết bị V-NAND thế hệ 10 mà Samsung giới thiệu tại ISSCC là một sản phẩm 3D TLC NAND với hơn 400 lớp hoạt động, dung lượng 1 Tb mỗi chip, và tốc độ giao tiếp 5.6 GT/s. Mặc dù vẫn sử dụng thiết kế triple-level cell, nó có mật độ 28 Gbmm2, thấp hơn một chút so với sản phẩm 1Tb 3D QLC V-NAND của Samsung (28.5 Gbmm2). Tuy nhiên, mật độ có thể không phải là mục tiêu chính của sản phẩm này, bởi những đổi mới quan trọng mà nó mang lại là số lớp hoạt động kỷ lục trên 400 và mạch ngoại vi liên kết lai.

Dưới đây là bản tóm gọn:

Thông số NAND Layer Counts:

• YMTC: 232 lớp, mật độ 20 Gb/mm², kiến trúc TLC, dung lượng die 1 Tb, tốc độ IO lên tới 3600 MT/s.

• Micron: 232 lớp, mật độ 19.8 Gb/mm², kiến trúc QLC, dung lượng die 1 Tb, tốc độ IO lên tới 3200 MT/s.

• Samsung: 276 lớp, mật độ 21.0 Gb/mm², kiến trúc TLC, dung lượng die 1 Tb, tốc độ IO lên tới 5600 MT/s.

• Kioxia: 290 lớp, mật độ 17 Gb/mm², kiến trúc TLC, dung lượng die 1 Tb, tốc độ IO lên tới 3600 MT/s.

• Sandisk: 4xx lớp, mật độ 28 Gb/mm², kiến trúc TLC, dung lượng die 1 Tb, tốc độ IO lên tới 4800 MT/s.

• SK Hynix: 218 lớp, mật độ 22.9 Gb/mm², kiến trúc QLC, dung lượng die 2 Tb, tốc độ IO chưa rõ.

Samsung đã sử dụng công nghệ logic để sản xuất mạch ngoại vi riêng biệt cho thế hệ V-NAND thứ 10.

Sau đó, nó được gắn vào wafer với một mảng bộ nhớ 3D NAND. Các nhà sản xuất hàng đầu khác của bộ nhớ 3D NAND như Kioxia, Sandisk và YMTC cũng sản xuất mảng 3D NAND và các phần phụ trợ trên các wafer khác nhau rồi gắn chúng lại với nhau. Kiến trúc này giúp Samsung tăng tốc độ giao diện của bộ nhớ V-NAND thế hệ 10 lên 5.6 GTs, cho phép một thiết bị NAND đạt tốc độ truyền tối đa 700 MB/s.

Trong các cấu hình lớn hơn, mười chip có thể tận dụng tối đa giao diện PCIe 4.0 x4, trong khi hai mươi chip sẽ đạt giới hạn của kết nối PCIe 5.0 x4. Một cấu hình với 32 chip trên hai gói NAND có thể gần đạt giới hạn của PCIe 6.0 x4. Hầu hết các gói NAND trên SSD được xây dựng với tám hoặc mười sáu chip. Một gói chứa mười sáu chip có thể lưu trữ tối đa 2TB, nghĩa là bốn gói trong một SSD đơn mặt sẽ cung cấp 8TB dung lượng.

Ổ M.2 2280 hai mặt có thể đạt dung lượng 16 terabyte. Tuy nhiên, Samsung chưa ra mắt SSD hai mặt mới trong những năm gần đây vì chúng không tương thích với phần lớn laptop. Không nghi ngờ gì, công nghệ V-NAND thế hệ 10 của Samsung với băng thông và dung lượng tăng cường có thể đóng vai trò quan trọng trong các thiết bị lưu trữ thế hệ tiếp theo, giúp Samsung sản xuất SSD và mô-đun UFS hiệu suất cao với dung lượng cạnh tranh.

Tuy nhiên, sự có mặt của các sản phẩm này trên thị trường sẽ phụ thuộc vào tốc độ sản xuất 3D TLC V-NAND mới nhất của Samsung. Hiện tại, Samsung vẫn chưa công bố thời điểm tích hợp V-NAND thế hệ thứ 10 vào dòng SSD của mình.

Nguồn: www.tomshardware.com/pc-components/ssds/samsung-unveils-10th-gen-v-nand-400-layers-5-6-gt-s-and-hybrid-bonding