Hãng sản xuất bộ nhớ NAND flash Trung Quốc Shenzhen Longsys Electronics vừa rồi đã phô diễn sức mạnh của RAM DDR5-6400, cho thấy nó có tiềm năng đầy hứa hẹn. Hiện Longsys đang phát triển 2 mô-đun RAM DDR5-6400, trong đó phiên bản 16 GB được thiết kế theo kiểu single-rank, còn bản 32 GB thì được thiết kế theo kiểu dual-rank. 

Cả 2 mô-đun đều có bảng mạch PCB 8 lớp, độ trễ CAS (CL) là 40, và điện áp 1,1 V. Tuy nhiên, theo thông tin được biết là RAM DDR5 sẽ có tốc độ lên đến 8400 MHz và dung lượng lên đến 128 GB cho mỗi mô-đun.

Hệ thống test của Longsys được trang bị chip Alder Lake-S 8 nhân và xung nhịp cơ bản là 800 MHz. Tuy nhiên, không rõ là Longsys đã dùng mô-đun RAM DDR5-6400 hay DDR5-4800 để so sánh với RAM DDR4, và xung nhịp của RAM DDR4 cũng là một điều bí ẩn.

Theo kết quả benchmark của Longsys thì mô-đun DDR5 có hiệu năng đọc, ghi, sao chép cao hơn hẳn so với mô-đun DDR4 trong bài test AIDA64, với cách biệt lần lượt là 39%, 36%, và 12%. 

Tuy nhiên, mô-đun DDR5 lại có độ trễ (latency) cao hơn 97%. Còn đối với Master Lu – một phần mềm benchmark khá phổ biến ở Trung Quốc – thì RAM DDR5 đạt được số điểm là 193.684, còn RAM DDR4 là 91.575, tức là hiệu năng chênh nhau đến 112%.

CPU Intel thế hệ 12 "Alder Lake-S" chuẩn bị ra mắt cuối năm 2021 hoặc đầu năm 2022, vì thế chúng ta cũng sắp được chứng kiến sức mạnh thật sự của RAM DDR5 rồi các bạn ạ.