SK Hynix thông báo các chip 321 lớp, UFS 4.1-TLC 4D NAND được đặt thành hạ cánh trong PCS và trung tâm dữ liệu

SK hynix vừa công bố phát triển giải pháp lưu trữ UFS 4.1 dựa trên công nghệ NAND flash 4D 321 lớp. Các chip NAND siêu dày này sẽ hỗ trợ dung lượng 512GB và 1TB, dự kiến có mặt trên điện thoại thông minh vào quý 1 năm 2026. Ngoài ra, các chip NAND mới này mỏng hơn 15% so với thế hệ trước, nhưng vẫn mang lại hiệu suất đọc liên tục hàng đầu với mức tiêu thụ điện năng thấp.

SK hynix cho biết chip NAND flash 4D 321 lớp sẽ được sử dụng cho SSD PC trong năm nay. Công ty cũng khẳng định rằng với các IC UFS 4.1 mới, người dùng có thể đạt tốc độ truyền dữ liệu lên tới 4,300 MB/s, tốt hơn so với các SSD PCIe NVMe Gen 3 hàng đầu.

Tuy nhiên, nó không nhanh hơn giải pháp UFS 4.1 hiện tại của SK hynix, dựa trên công nghệ 4D NAND flash 238 lớp. UFS (Universal Flash Storage) là giải pháp lưu trữ chủ yếu cho smartphone, nhưng cũng được sử dụng rộng rãi trong máy tính bảng, thiết bị hình ảnh số, ô tô, thiết bị đeo và VR. UFS là tiêu chuẩn tiên tiến hơn nhiều, có băng thông và hiệu suất cao hơn so với eMMC, nên thường được ưa chuộng trong các thiết kế cao cấp.

Tin vui là SK hynix khẳng định rằng các IC UFS 4.1 sắp ra mắt sẽ duy trì tốc độ đọc tuần tự nhanh nhất cho thế hệ thứ tư của UFS, đồng thời cải thiện tốc độ đọc và ghi ngẫu nhiên. Tốc độ đọc và ghi ngẫu nhiên tăng lần lượt 15% và 40%, điều này rất quan trọng cho việc đa nhiệm mượt mà. Ngoài ra, Phison E28 có tốc độ 14.8 GB/s, Sandisk giới thiệu bộ điều khiển SSD mới mang tên Stargate, và Silicon Motion ra mắt SM2324 cho phép điều khiển SSD USB4 với dung lượng lên đến 32TB.

Có thông tin cho rằng hiệu suất năng lượng cải thiện 7% khi chuyển từ chip UFS 4.1 sang thế hệ mới. SK hynix đã trình diễn giải pháp UFS 4.1 với bộ nhớ flash NAND 4D 238 lớp tại Computex. Việc chuyển sang bộ nhớ flash NAND 4D 321 lớp sẽ giúp UFS 4.1 của SK hynix mỏng hơn, điều mà các nhà sản xuất thiết bị di động luôn mong muốn.

Cụ thể, nhà sản xuất bộ nhớ cho biết các IC mới sẽ dày 0.85mm, giảm từ 1.00mm của UFS 4.1 NAND với 238 lớp NAND flash 4D. SK hynix đã bắt đầu sản xuất hàng loạt NAND flash 321 lớp đầu tiên trên thế giới vào tháng 11 năm 2024. Phải đến bây giờ, UFS 4.1 mới được phát triển với các IC này, và có vẻ như phải đến giữa năm 2026 mới có SSD cho PC sử dụng công nghệ này. Trong khi đó, đối thủ như Samsung cũng đang tiến gần với kế hoạch phát triển NAND 400 lớp.

Các công ty như Micron, Kioxia và YMTC được cho là đang chậm hơn. UFS 4.1 có 321 lớp NAND 4D, trong khi UFS 4.1 với 238 lớp NAND 4D. Độ dày IC lần lượt là 0.85mm và 1.00mm. Tốc độ đọc tuần tự tối đa đều là 4.3 GB/s. Cải thiện tốc độ đọc ngẫu nhiên là 15% và 40%. Cải thiện hiệu suất là 7% cho UFS 4.1 với 321 lớp. Dung lượng IC tối đa đạt 1TB cho cả hai. UFS 4.1 sẽ có mặt vào Q1 2026, trong khi UFS 4.1 với 238 lớp đã có sẵn. Tin tức công nghệ 2025 không thể thiếu AI, SK hynix cũng đã cập nhật về lĩnh vực công nghệ đang hot này.

SK hynix quảng bá giải pháp UFS 4.1 mới nhất của mình là "tối ưu hóa cho AI trên thiết bị", củng cố vị thế như một "nhà cung cấp bộ nhớ AI toàn diện". NAND mới này sẽ "đảm bảo hoạt động ổn định cho AI trên thiết bị" và mang lại lợi thế công nghệ AI cho các sản phẩm sử dụng nó. SSD cho PC với NAND 4D 321 lớp của SK hynix sẽ không chỉ được cung cấp cho các nhà sản xuất thiết bị di động.

Chủ tịch và Giám đốc Phát triển của công ty, Ahn Hyun, cho biết sẽ phát triển SSD 4D NAND 321-high cho cả người tiêu dùng và trung tâm dữ liệu trong năm nay. Công ty đang tập trung mở rộng vị thế của mình như một nhà cung cấp bộ nhớ AI toàn diện trong lĩnh vực NAND, với danh mục sản phẩm mang lợi thế công nghệ AI. Các SSD này dự kiến sẽ mang thương hiệu của công ty và có mặt trong sản phẩm của các hãng như Adata, Kingston và Solidigm.

Theo dõi Toms Hardware trên Google News để nhận tin tức, phân tích và đánh giá mới nhất. Hãy nhấn nút Theo dõi nhé.

Nguồn: www.tomshardware.com/pc-components/storage/sk-hynix-announces-321-layer-tlc-4d-nand-using-ufs-4-1-chips-are-set-to-land-within-the-year