Samsung Galaxy S25 Edge sẽ hy sinh tốc độ sạc và dung lượng pin để phô trương thiết kế bóng bẩy của nó, chứng nhận 3C mới cho thấy các chi tiết quan trọng

Galaxy S25 Edge có thiết kế mỏng và tinh tế, nhưng không được công bố trong sự kiện Galaxy Unpacked của Samsung. Dự kiến sản phẩm sẽ ra mắt vào tháng 4 năm 2025 với kiểu dáng mỏng nhẹ nhất trong dòng flagship. Tuy nhiên, do thiết kế này, Samsung phải giảm dung lượng pin và tốc độ sạc, như đã được chứng nhận trong thông tin 3C mới nhất.

Chứng nhận 3C mới cho thấy Samsung vẫn chưa tham gia vào công nghệ pin silicon-carbon, điều này sẽ giúp họ phát triển nhiều mẫu Galaxy S25 Edge hơn trong tương lai. Một số thông số kỹ thuật đã được Abhishek Yadav phát hiện trên X, cho thấy Samsung sẽ phải thỏa hiệp về dung lượng pin và tốc độ sạc. Chứng nhận 3C chỉ ra rằng Galaxy S25 Edge sẽ có pin 3,900mAh và hỗ trợ sạc tối đa 25W.

Để so sánh, Galaxy S25 cơ bản được trang bị pin 4,000mAh lớn hơn. Điều này cho thấy rằng để Galaxy S25 Edge mỏng hơn, Samsung đã phải hy sinh dung lượng pin, và đây cũng là lời nhắc nhở rằng dù là một công ty lớn, Samsung vẫn chưa áp dụng những công nghệ mới nhất như các đối thủ. Ví dụ, hầu hết các nhà sản xuất smartphone Trung Quốc đã chuyển sang công nghệ pin silicon-carbon, cho phép các sản phẩm flagship và tầm trung của họ có dung lượng pin vượt quá 6,000mAh.

Mặc dù Samsung và Apple được cho là đang phát triển công nghệ pin silicon carbon cho các thiết bị tương lai, cả hai công ty hiện đều đang tụt lại phía sau so với đối thủ. Nếu Galaxy S25 Edge vẫn gặp khó khăn với độ mỏng, nhưng pin silicon carbon ít nhất có thể giúp mẫu flagship sắp ra mắt có pin 5,000mAh. Thông số của Samsung Galaxy S25 Edge: pin 3900mAh, sạc 25 watt.

Theo thông tin từ Abhishek Yadav vào ngày 24 tháng 1 năm 2025, Samsung có thể đã giới hạn công suất sạc của Galaxy S25 Edge ở mức 25W để tránh quá nhiệt, nhằm kéo dài tuổi thọ của thiết bị và giảm tốc độ suy giảm pin. Dù vậy, công ty vẫn trang bị phiên bản nhanh hơn của chip Qualcomm Snapdragon 8 Elite cho mẫu smartphone này, với các lõi hiệu suất hoạt động ở mức 4.

Galaxy S25 Edge hoạt động ở tần số 47GHz thay vì 4.32GHz mặc định. Tuy nhiên, nó không gây ấn tượng trong thử nghiệm đa lõi, với điểm số thấp hơn nhiều so với những gì Snapdragon 8 Elite có thể đạt được. Nguyên nhân có thể là do phần mềm chưa tối ưu hoặc thiết kế quá mỏng gây cản trở hiệu suất. Những ai dự định sử dụng Galaxy S25 Edge hàng ngày nên biết rằng thiết bị này sẽ không có thời gian sử dụng và tốc độ sạc tốt như các mẫu khác.

Nguồn: wccftech.com/galaxy-s25-edge-to-sacrifice-charging-speeds-and-battery-capacity-due-to-sheer-thinness/